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測(cè)試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進(jìn)行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗(yàn)。間歇工作壽命試驗(yàn)利用芯片的反復(fù)開啟和關(guān)閉引起的反復(fù)高溫和低溫，加速芯片內(nèi)各種組件材料和結(jié)合面的熱機(jī)械應(yīng)力，驗(yàn)證封裝、內(nèi)部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機(jī)械應(yīng)力能力。IOL間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)HK-IOL-16H

IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過(guò)控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵是控制結(jié)溫的波動(dòng)范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實(shí)驗(yàn)壽命,從而得到IGBT的壽命。

SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù)： 　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。

HUSTEC-DC-2020分立器件測(cè)試儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ) 償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300 ITC57300是美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)試架構(gòu)，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試要求，且具有波形實(shí)時(shí)顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備。

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT 華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224 該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試 品牌： 華科智源 名稱： 雙脈沖測(cè)試平臺(tái) 用途： 測(cè)試動(dòng)態(tài)參數(shù)

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1600A-MT華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試，軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。